Verfahren zur Erzeugung von dotierten, polykristallinen Halbleiterschichten

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von hochdotierten polykristallinen Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat, wobei eine erste Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein erstes Dotiermittel auf einen oder mehrere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird; optional eine zweite Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein zweites Dotiermittel auf einen oder mehrere andere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, wobei das erste Dotiermittel ein Dotiermittel vom n-Typ ist und das zweite Dotiermittel ein Dotiermittel vom p-Typ ist oder umgekehrt; und die beschichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils konvertiert werden, so dass aus dem Si-Precursor polykristallines Silizium entsteht. Die Erfindung betrifft ferner die nach dem Verfahren erhältlichen Halbleiter und ihre Verwendung, insbesondere bei der Herstellung von Solarzellen.