| 摘要 |
Ein Transistor umfasst eine Source, einen Drain, von der Source beabstandet, und einen Heterostrukturkörper mit einem zweidimensionalen Ladungsträgergaskanal zum Verbinden der Source und des Drain. Der Transistor umfasst ferner eine Halbleiterfeldplatte, die zwischen der Source und dem Drain angeordnet ist. Die Halbleiterfeldplatte ist dazu ausgebildet, Ladungen im Drain mindestens teilweise zu kompensieren, wenn sich der Transistor in einem Aus-Zustand befindet, in dem der Kanal unterbrochen ist und eine Sperrspannung an den Drain angelegt ist. Die durch die Halbleiterfeldplatte bereitgestellte Kompensationsladung ist über eine Ebene oder ein Volumen der Halbleiterfeldplatte gleichmäßig verteilt. Verschiedene Halbleiterfeldplattenkonfigurationen und entsprechende Herstellungsverfahren werden hierin beschrieben. |
