Metallsegmente als Landing-Pads und lokale Zwischenverbindungen in einer IC-Vorrichtung

摘要

Es werden Verfahren zur Verwendung von Metallsegmenten einer zusätzlichen Metallschicht als Landing-Pads für Kontaktöffnungen und auch als lokale Zwischenverbindungen zwischen Kontakten in einer IC-Vorrichtung und damit erhaltene Vorrichtungen angegeben. Ausführungsformen umfassen ein Bilden von Source/Drain-Kontakten und Gatekontakten, die mit Transistoren auf einem Substrat in einer integrierten Schaltkreisvorrichtung verbunden sind, wobei jeder Kontakt eine obere Oberfläche mit einer ersten Fläche hat; ein Bilden von Metallsegmenten in einer Ebene an der oberen Oberfläche der Kontakte, wobei sich jedes Metallsegment in Kontakt mit einem oder mehreren der Kontakte befindet und eine zweite Fläche hat, die größer als die erste Fläche ist; und Bilden von einer oder mehreren Kontaktöffnungen zwischen einem oder mehreren der Metallsegmente und einem oder mehreren ersten Segmenten einer ersten Metallschicht.