发明名称 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
摘要 Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul. Dieses weist ein Modulgehäuse (6) auf, sowie einen Schaltungsträger (2) mit einem dielektrischen Isolationsträger (20) und mit einer oberen Metallisierungsschicht (21), die auf eine Oberseite (20t) des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht ist. Auf dem Schaltungsträger (2) ist Halbleiterbauelement (1) angeordnet. Außerdem weist das Leistungshalbleitermodul einen Hochstromleiter (5) mit einem ersten Abschnitt auf, der im Inneren des Modulgehäuses (6) angeordnet ist und mit einem zweiten Abschnitt, der von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her zugänglich ist. Der erste Abschnitt weist außerdem eine Anzahl von N ≥ 2 Fortsätzen (54) auf. Auf dem Schaltungsträger (2) ist eine Anzahl N elektrisch leitender Kontakthülsen (4) angeordnet, in die jeweils einer der Fortsätze (54) eingesteckt und dadurch elektrisch leitend mit dieser verbunden ist.
申请公布号 DE102014116793(A1) 申请公布日期 2016.05.19
申请号 DE201410116793 申请日期 2014.11.17
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Schwarz, Alexander;Koch, Christoph;Uhlemann, Andre;Thoben, Markus;Mankel, Michael
分类号 H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
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