Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (199) mit einer Hauptoberfläche (101) und einer Gateelektrode (150), die sich innerhalb eines Grabens (190) zwischen benachbarten Halbleitermesas (191, 192) befindet. Die Gateelektrode (150) wird von entsprechenden dielektrischen Schichten elektrisch von den benachbarten Halbleitermesas (191, 192) isoliert. Eine entsprechende Stütze (201, 202) auf jeder der benachbarten Halbleitermesas (191, 192) wird ausgebildet, was eine Öffnung (400) zwischen den Stützen (201, 202) über dem Graben (190) freilässt. Dielektrische Kontaktbeabstandungsstücke (211, 212) werden in der Öffnung (400) entlang entsprechenden Stützenseitenwänden gebildet, um die Öffnung (400) über der Gateelektrode (150) zu verkleinern. Ein Leiter (330) wird gebildet, der eine Grenzfläche (610) mit der Gateelektrode (150) aufweist. Die Grenzfläche (610) erstreckt sich entlang einer Erstreckung der Gateelektrode (150), und der Leiter (330) weist eine Leitfähigkeit auf, die größer ist als die Leitfähigkeit der Gateelektrode (150).