Kontakte für stark skalierte Transistoren

摘要

Es werden ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Ausbildung desselben offenbart. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Substrat, erste und zweite Source/Drain(S/D)-Bereiche, einen Kanal zwischen dem ersten und zweiten S/D-Bereich, ein Gate, das am Kanal angreift, und ein Kontaktmerkmal, das eine Verbindung zu dem ersten S/D-Bereich herstellt. Das Kontaktmerkmal umfasst erste und zweite Kontaktschichten. Die erste Kontaktschicht weist ein winkeltreues Querschnittsprofil auf und ist mit dem ersten S/D-Bereich auf mindestens zwei Seiten desselben in Kontakt. In Ausführungsformen ist die erste Kontaktschicht in einem direkten Kontakt mit drei oder vier Seiten des ersten S/D-Bereichs, um so die Kontaktfläche zu vergrößern. Die erste Kontaktschicht umfasst eines von einer Halbleiter-Metall-Legierung, einem III-V-Halbleiter und Germanium.