共通の堆積プラットフォーム、処理ステーション、およびその動作方法

摘要

基板上に薄膜を堆積させる装置が記載される。この装置は、その表面に沿って第１の真空処理領域および少なくとも１つの第２の真空処理領域を通って基板を案内するための外面を有する基板支持体と、第１の処理領域に対応する第１の堆積源と、少なくとも１つの第２の真空処理領域に対応する少なくとも１つの第２の堆積源とを含み、少なくとも第１の堆積源は、基板支持体の表面に対向する表面を有する電極と、電極の表面の両側に配置された処理ガス入口および処理ガス出口と、１つまたは複数の分離ガス入口開口を有する少なくとも１つの分離ガス入口とを含み、１つまたは複数の分離ガス入口開口は、少なくとも電極の表面の両側の一方に設けられ、その結果、処理ガス入口および／または処理ガス出口が、１つまたは複数の分離ガス入口開口と電極の表面との間に設けられる。この装置は、第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間に少なくともさらなるガス出口を提供する１つまたは複数の真空フランジをさらに含む。【選択図】図１２