| 摘要 |
본 발명에 의하면, IGZO-GDM인 게이트 드라이버(24)와 레벨 시프터 회로(13)는 제1 내지 제5 배선(OL1 내지 OL5)을 통하여 서로 접속된다. 각 배선(OL)에는 방전부(190)가 접속된다. 패널 내의 잔류 전하를 제거하기 위한 전원 오프 시퀀스에 있어서, 레벨 시프터 회로(13) 내의 제1 내지 제5출력 회로(OC1 내지 OC5)의 전원이 동작 하한값을 하회하면, 제1 내지 제5출력 회로(OC1 내지 OC5)의 출력이 하이임피던스 상태로 된다. 이때, 각 배선(OL)의 전위는 방전부(190)에 의하여 접지 전위로 인입된다. 따라서 전원이 차단되었을 때 패널 내의 잔류 전하가 빠르게, 또한 안정적으로 제거된다. |
