| 摘要 |
Ein Verfahren zum Herstellen einer Nitrid-Halbleitervorrichtung weist auf: Ausbilden eines Transistors, der eine in Schottky-weise mit einer Nitrid-Halbleiterschicht (3) verbundene Gate-Elektrode (4) aufweist; Ausführen von Hochtemperaturglühen bei einer Temperatur von 200 bis 360°C für 8 bis 240 Stunden auf den Transistor; und Ausführen von HF-Burn-In durch Anlegen einer Hochfrequenzleistung an den Transistor bei einer Kanaltemperatur von 180 bis 360°C nach dem Hochtemperaturglühen. |
