| 摘要 |
본 발명의 목적은, 제2막을 이용하여 제1막을 개질하는 제1막의 개질 방법을 제공하는 것, 특히 패턴이 되는 제1막에 산 발생제가 함유되지 않아도 기존의 포토리소그래피 공정을 이용하여 패턴을 형성할 수 있는 제1막의 개질 방법 및 이에 이용하는 산 전사 수지막 형성용 조성물을 제공하는 것이다. 즉, 본 개질 방법은 산해리성기를 가지는 제1막 (10) 상에, 산 발생제를 포함하는 제2막 (20)을 형성하는 공정 (I), 마스크 (30)을 개재시켜 제2막 (20)을 노광시켜 산을 발생시키는 공정 (II), 제2막 (20)에 발생시킨 산을 제1막 (10)에 전사시키는 공정 (III), 및 제2막 (20)을 제거하는 공정 (IV)를 이 순서로 구비한다. |
