ＭＩＭキャパシタを含むＦｉｎＦＥＴ構造およびその形成方法

摘要

【課題】金属−絶縁体−金属キャパシタを有するＦｉｎＦＥＴ構造（２００）を形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板（２０２、２０４）上にシリコン・フィン（２０６）を形成し、それに続いて、第１の窒化チタン層（２０８）、誘電体層（２１０）、および第２の窒化チタン層（２１２）からなる順次層を堆積させることによって、シリコン・フィン（２０６）上に金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する。金属−絶縁体−金属キャパシタ層（２０８、２１０、２１２）を覆って、ポリシリコン層（２１４）を堆積させ、それに続いて、ポリシリコン層（２１４）および金属−絶縁体−金属キャパシタ層（２０８、２１０、２１２）を、シリコン・フィン（２０６）の第１の端部および第２の端部がポリシリコン層（２１４）から突出するように、シリコン・フィン（２０６）の両端部からエッチ・バックする。シリコン・フィン（２０６）の両端部に面する表面上にスペーサ（２１８）を形成し、それに続いて、シリコン・フィン（２０６）の両端部上に、併合型ソースおよびドレイン（２２０）を形成することができる。金属−絶縁体−金属キャパシタを有するＦｉｎＦＥＴ構造（２００）も開示される。【選択図】図２２