Photovoltaic device structure and method

摘要

본 발명에 따른 반도체 디바이스의 표면에 있는 반도체 재료의 표면영역은 유전체 재료 표면층으로 반도체 재료의 표면영역을 코팅하고 도판트 소스가 있는 상태에서 용융이 수행되는 피도핑 면적에 있는 반도체 재료의 표면을 국소적으로 가열함으로써 제조동안 도핑된다. 가열은 피도핑 면적에 있는 반도체 재료의 표면 영역이 1 마이크로초보다 큰 시간 주기동안 재동결하지 않고 용융된 상태로 유지되고 도판트 소스로부터의 도판트가 용융된 반도체에 흡수되도록 제어된 방식으로 수행된다. 반도체 디바이스는 정션이 형성되고 다층 반사방지 코팅을 포함할 수 있는 반도체 재료 구조를 포함한다. 반사방지 코팅은 열팽창 계수 불일치 수정을 제공하도록 반도체 재료 구조의 수광면에 위치되어 있고 열팽창계수가 반도체 재료의 열팽창계수 이하인 열팽창 불일치 수정 재료로 된 얇은 층을 포함한다. 태양전지에 전반적인 양호한 반사방지 특성을 제공하기 위해 반도체 재료 구조와 일치하도록 선택된 굴절률과 두께를 갖는 반사방지층이 제공된다.