发明名称 |
一种可控增透限幅的MoS<sub>2</sub>纳微薄膜及其制备方法 |
摘要 |
一种可控增透限幅的MoS<sub>2</sub>纳微薄膜及其制备方法,所述MoS<sub>2</sub>纳微薄膜表面平整,厚度150~300nm,在400~810nm波段,光强0~150GW/cm<sup>2</sup>,归一化透过率为73.9~105%;随着波长增加,最大归一化透过率出现的光强不断降低。所述制备方法是将MoS<sub>2</sub>粉末与四氢呋喃溶液混合,密封,搅拌,得MoS<sub>2</sub>-四氢呋喃悬浮溶液;然后将其密封,离心,移取中层溶液,得宽度为10~15μm的MoS<sub>2</sub>-四氢呋喃悬浮溶液;再将其甩膜,烘干,得MoS<sub>2</sub>纳微薄膜。本发明方法稳定性好,简单易行,成本低廉,便于大批量工业生产,制得的MoS<sub>2</sub>纳微薄膜可作为一种对光的波长有选择性光增透限幅效应的材料。 |
申请公布号 |
CN104131280B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201410366888.0 |
申请日期 |
2014.07.30 |
申请人 |
肖思;张景迪;邢若晨 |
发明人 |
肖思;张景迪;邢若晨;何军 |
分类号 |
C23C24/00(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
C23C24/00(2006.01)I |
代理机构 |
长沙星耀专利事务所 43205 |
代理人 |
宁星耀;赵静华 |
主权项 |
一种可控增透限幅的MoS<sub>2</sub>纳微薄膜,其特征在于:所述MoS<sub>2</sub>纳微薄膜在400~810nm波段,光强大小0~150GW/cm<sup>2</sup>条件下,归一化透过率为73.9~105%;其中,73.9%<归一化透过率<100%为限幅区间,100%<归一化透过率<105%为增透区间;归一化透过率最大时的光强大小为0.2~10GW/cm<sup>2</sup>。 |
地址 |
410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号中南大学物理与电子学院双超所 |