发明名称 一种调节二氧化钒薄膜相变温度的方法
摘要 本发明提出了一种调节二氧化钒薄膜相变温度的方法。对金属钒或低价态钒氧化物薄膜进行真空条件下通氧退火,通过改变退火过程中氧气分压来调节生成的二氧化钒薄膜的相变温度。这种调节相变的方式不依赖于衬底,既可以在晶体衬底上实现,也可以在非晶衬底上实现,是一种非常简单有效的二氧化钒薄膜相变温度调节方法,灵活性强、操作简便、成本低廉,并可与其它相变温度调节方法兼容和共同使用。
申请公布号 CN104261873B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201410341407.0 申请日期 2014.07.17
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 王少伟;刘星星;陆卫;俞立明;陈效双
分类号 C04B41/50(2006.01)I;C03C17/23(2006.01)I 主分类号 C04B41/50(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种调节二氧化钒薄膜相变温度的方法,其特征在于包括如下步骤:1)通过磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、真空热蒸发、电子束蒸发、激光脉冲沉积或溶胶凝胶的方法在衬底上制备多个金属钒薄膜样品;2)在氧气分压11~18Pa之间选择与金属钒薄膜样品数量相应的多个氧气分压测试点,通氧退火得到有相变的二氧化钒薄膜样品;3)测试上述二氧化钒薄膜样品的热滞回线,采用高阶多项式拟合得到其热滞回线函数,函数拐点对应的温度为二氧化钒薄膜相变温度;4)通过二项式拟合获取二氧化钒薄膜样品的相变温度与退火氧气分压关系曲线;5)根据所需制备二氧化钒薄膜的相变温度,依据步骤4)给出的相变温度与退火氧气分压关系曲线找到相应氧气分压,在该氧气分压下对金属钒薄膜退火处理,得到满足相变温度要求的二氧化钒薄膜。
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号