发明名称 |
半导体封装构造及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体封装构造及其制造方法,所述方法包含:提供一晶圆;于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割,以形成数个切槽,所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元,所述芯片单元包含第一表面,背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面;形成一导电遮罩层于所述晶圆上,使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽;对应所述切槽的位置对所述遮罩层进行第二次切割;以及于每一芯片单元未覆盖遮罩层的第二表面设置一接地导线连接所述遮罩层。所述制造方法可避免遮罩层附着于底胶,提供良好的抗翘曲能力与散热效果。 |
申请公布号 |
CN103000539B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201210463937.3 |
申请日期 |
2012.11.16 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
洪嘉临 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
林斯凯 |
主权项 |
一种半导体封装构造的制造方法,其特征在于:所述制造方法包含下列步骤︰S1:提供一晶圆;S2:于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割,以形成数个切槽,所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元,所述芯片单元包含第一表面,背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面;S3:形成一导电遮罩层于所述数个芯片单元上,以使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽;S4:对应所述切槽的位置对所述导电遮罩层进行第二次切割;以及S5:于每一芯片单元未覆盖导电遮罩层的第二表面形成一接地导线连接所述导电遮罩层。 |
地址 |
中国台湾高雄巿楠梓加工区经三路26号 |