一种高灵敏度霍尔元件的制备方法

摘要

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a）提供半导体衬底；b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d）采用腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e）霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f）制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g）霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。根据本发明，采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜，性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件；采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层，可大大降低生产成本；磁性基板和芯片，可以大大提高霍尔元件的灵敏度。

主权项

一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a） 提供半导体衬底；b） 采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c） 在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d） 采用选择性腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e） 霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f） 制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g） 霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。