发明名称 |
经碰撞谐振能转移到能量吸附气体调整等离子体的VUV发射 |
摘要 |
本发明涉及经碰撞谐振能转移到能量吸附气体调整等离子体的VUV发射。公开了在半导体处理室中调整来自等离子体的真空紫外(VUV)辐射的发射的方法。所述方法可包括在处理室中产生等离子体,所述等离子体包括VUV发射物气体和碰撞能量吸收物气体,以及通过改变所述等离子体中的VUV发射物气体与碰撞能量吸收物气体的浓度比来调整来自所述等离子体的VUV辐射的发射。在一些实施方式中,所述VUV发射物气体可以是氦而所述碰撞能量吸收物气体可以是氖,且在一些这样的实施方式中,调整VUV发射可包括使氦和/或氖按一定比例流入所述处理室中以改变所述等离子体中的氦与氖的浓度比。此外,本发明还公开了执行上述方法的装置。 |
申请公布号 |
CN105590826A |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201510776969.2 |
申请日期 |
2015.11.12 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
安德烈亚斯·菲舍尔;索斯藤·利尔 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
樊英如;李献忠 |
主权项 |
一种在半导体处理室中调整来自等离子体的真空紫外(VUV)辐射的发射的方法,所述方法包括:在所述处理室中产生等离子体,所述等离子体包括VUV发射物气体和碰撞能量吸收物气体,所述等离子体发射VUV辐射;以及通过改变所述等离子体中的所述VUV发射物气体与碰撞能量吸收物气体的浓度比来调整来自所述等离子体的VUV辐射的发射。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |