一种超辐射发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种超辐射发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用MOCVD在InP衬底上外延生长形成优化的外延片；（2）在外延片表面沉积200nm的SiO₂介质层，对其进行光刻、湿法腐蚀形成特定的脊波导结构；（3）对形成脊波导结构的片子去除表面介质；再生长钝化层；对片子进行光刻、金属溅射、减薄及金属溅射，从而实现片子P型接触电极制备、减薄及N型接触电极制备；并对片子进行合金形成芯片；（4）将芯片解离成bar条，对其出光和背光面蒸镀高透和高反膜。本发明采用优化的外延结构和掺杂分布来制备SLD芯片，该方法制备的芯片，输出功率高、耦合效率高，能有效提高器件出纤功率。

主权项

一种超辐射发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用MOCVD在InP衬底上外延生长形成优化的外延片；（2）在外延片表面沉积200nm的SiO₂介质层，对其进行光刻、湿法腐蚀形成特定的脊波导结构；（3）对形成脊波导结构的片子去除表面介质；再生长钝化层；对片子进行光刻、金属溅射、减薄及金属溅射，从而实现片子P型接触电极制备、减薄及N型接触电极制备；并对片子进行合金形成芯片；（4）将芯片解离成bar条，对其出光和背光面蒸镀高透和高反膜。