发明名称 半导体元件的制作以及检测方法
摘要 本发明公开一种半导体元件的制作以及检测方法,包括提供半导体基板,其包括元件区域和周边区域。接着,在元件区域内形成第一几何单元,并于周边区域形成多个第二几何单元,其中各第二几何单元的临界尺寸相等于第一几何单元的临界尺寸。之后,全面沉积一介电层,以同时覆盖住第一几何单元和各第二几何单元。最后,在介电层上形成焊接垫,其中焊接垫位于第二几何单元的正上方。其中在形成第二几何单元之后,会对第二几何单元进行缺陷检测。
申请公布号 CN105590876A 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201410697104.2 申请日期 2014.11.27
申请人 力晶科技股份有限公司 发明人 林志峰;车行远
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种半导体元件的制作以及检测方法,包括:提供一半导体基板,其包括一元件区域和一周边区域;在该元件区域内的该半导体基板上形成一第一几何单元;在该周边区域的该半导体基板上形成多个第二几何单元,其中各该第二几何单元的临界尺寸(critical dimension)相等于该第一几何单元的临界尺寸;全面沉积一介电层,以同时覆盖住该第一几何单元和各该第二几何单元;在该介电层上形成一焊接垫,其中该焊接垫位于该些第二几何单元的正上方;以及对该些第二几何单元进行一缺陷检测。
地址 中国台湾新竹科学工业园区