发明名称 | 非易失静态随机存取存储器电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种非易失静态随机存取存储器电路,其包括第一与第二开关以及栓锁电路。第一开关具有耦接第一位线的第一端且具有第二端。第二开关具有耦接第二位线的第一端且具有第二端。栓锁电路耦接第一开关的第二端以及第二开关的第二端,且具有第一非易失存储元件。当非易失静态随机存取存储器电路处于写入模式时,在第一位线上的第一数据写入至栓锁电路,且第一非易失存储单元具有对应第一数据的第一状态。当非易失静态随机存取存储器电路处于读取模式时,第一读出数据根据第一非易失存储单元的第一状态而产生且提供至第一位线。本发明实施例,通过非易失存储元件的阻抗状态的行程将位线上的数据记录在栓锁电路,不需要现有的传统模式。 | ||
申请公布号 | CN105590647A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
申请号 | CN201410647788.5 | 申请日期 | 2014.11.13 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 金宁泰;谢明辉 |
分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 汤在彦 |
主权项 | 一种非易失静态随机存取存储器电路,其特征在于,包括:一第一开关,具有耦接一第一位线的一第一端且还具有一第二端;一第二开关,具有耦接一第二位线的一第一端且还具有一第二端;一栓锁电路,耦接该第一开关的该第二端以及该第二开关的该第二端,且具有一第一非易失存储元件;其中,当该非易失静态随机存取存储器电路处于一写入模式时,在该第一位线上的一第一数据写入至该栓锁电路,且该第一非易失存储元件具有对应该第一数据的一第一状态;以及其中,当该非易失静态随机存取存储器电路处于一读取模式时,一第一读出数据根据该第一非易失存储元件的该第一状态而产生且提供至该第一位线。 | ||
地址 | 中国台湾台中市 |