发明名称 |
一种全隔离有源区结构的制备方法 |
摘要 |
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,公开了一种全隔离有源区结构的制备方法,首先在半导体衬底上形成氧化层;然后对氧化层图案化以形成沟槽结构;接着沟槽结构内依次形成外延层以及顶硅层;再接着去除氧化层;然后采用电解工艺将外延层电解为多孔硅;最后采用热氧化工艺将多孔硅氧化为氧化硅,形成全隔离有源区结构。本发明通过电解工艺将外延层电解为多孔硅,再通过热氧化工艺将多孔硅氧化为氧化硅,不仅能形成较好的致密绝缘层,避免了有源区剥离的风险,降低了生产成本,相比现有的全隔离有源区结构的形成工艺,省去了在SOI衬底上定义有源区的步骤,简化了工艺步骤,且工艺可控,同时与现有的集成电路平面工艺相兼容。 |
申请公布号 |
CN105590892A |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201510953090.0 |
申请日期 |
2015.12.17 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
储佳 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;尹英 |
主权项 |
一种全隔离有源区结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01,提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成氧化层;步骤S02,对所述氧化层图案化,以在所述氧化层中形成沟槽结构;步骤S03,采用外延生长工艺在所述沟槽结构内形成预设厚度的外延层;步骤S04,在所述外延层的上表面形成顶硅层,其中,所述顶硅层的上表面与所述氧化层的上表面平齐;步骤S05,去除所述氧化层;步骤S06,采用电解工艺将所述外延层电解为多孔硅;步骤S07,采用热氧化工艺将所述多孔硅氧化为氧化硅,形成全隔离有源区结构。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 |