| 发明名称 | 倒装芯片型半导体背面用膜 | ||
| 摘要 | 公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其特征在于热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa至50GPa。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa以上，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。 | ||
| 申请公布号 | CN102947929B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201180030325.9 | 申请日期 | 2011.04.18 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高本尚英;志贺豪士 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，其中热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa以上至不大于50GPa，所述倒装芯片型半导体背面用膜至少包括由至少热固性树脂组分和具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分形成的层，其中所述具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分的共混比落入相对于树脂组分的总量为5重量％以上至不大于40重量％的范围内。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||