| 摘要 |
높은 전계-효과 이동도를 갖는 트랜지스터가 제공된다. 언정된 전기 특성들을 갖는 트랜지스터가 제공된다. 낮은 오프-상태 전류(오프 상태에서의 전류)를 갖는 트랜지스터가 제공된다. 대안적으로, 이러한 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 이러한 반도체 장치는, 제 1 절연막, 제 1 절연막 위의 산화물 반도체막, 산화물 반도체막 위의 제 2 절연막, 및 산화물 반도체막과 도전막 사이에 제 1 절연막 또는 제 2 절연막을 개재하여 산화물 반도체막과 중첩하는 도전막을 포함한다. 산화물 반도체막의 조성은 제 1 절연막과 제 2 절연막 사이에서 연속적으로 변한다. |
