| 摘要 |
반도체 발광 장치(34)는 n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 발광층은 제1 피크 파장을 갖는 제1 광을 방출하도록 되어 있다. 제1 파장 변환 재료(38)는, 제1 광을 흡수하며, 제2 피크 파장을 갖는 제2 광을 방출하도록 되어 있다. 제2 파장 변환 재료(36)는, 제1 광 또는 제2 광을 흡수하며, 제3 피크 파장을 갖는 제3 광을 방출하도록 되어 있다. 필터(40)는 제4 피크 파장을 갖는 제4 광을 반사시키도록 되어 있다. 제4 광은 제2 광의 일부 또는 제3 광의 일부 중 어느 하나이다. 필터는 제4 피크 파장보다 더 길거나 짧은 피크 파장을 갖는 광을 투과시키도록 구성된다. 필터는 제1, 제2 및 제3 광의 적어도 일부의 경로 내에서 발광 장치 위에 배치된다. |
