发明名称 超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管
摘要 超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管,涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底和设置于硅衬底和埋氧上方的漂移区、沟道区、欧姆接触重掺杂区、阴极、栅极介质、阳极引出线、栅极、阴极引出线、阳极,漂移区在阳极与沟道区之间的部分的上表面,设置有电场加强单元,所述电场加强单元用于产生一个从阳极指向电场加强单元下表面的电场;电场加强单元通过绝缘介质与漂移区隔离。本发明实现了LIGBT器件导通性能和开关性能的双重提高。
申请公布号 CN105590960A 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201510998522.X 申请日期 2015.12.28
申请人 电子科技大学 发明人 李俊宏;李平
分类号 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/739(2006.01)I
代理机构 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人 刘勋
主权项 超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管,包括硅衬底(1)和设置于硅衬底(1)和埋氧(18)上方的漂移区(2)、沟道区(3)、欧姆接触重掺杂区(4)、阴极(5)、栅极介质(8)、阳极引出线(10)、栅极(11)、阴极引出线(12)、阳极(13),其特征在于,漂移区(2)在阳极(13)与沟道区(3)之间的部分的上表面,设置有电场加强单元(20),所述电场加强单元(20)用于产生一个从阳极指向电场加强单元下表面的电场;电场加强单元(20)通过绝缘介质(6)与漂移区(2)隔离。
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号