| 摘要 |
본 실시예에 따른 태양 전지는, 반도체 기판 및 반도체층 적어도 하나를 포함하는 광전 변환부; 및 상기 반도체 기판 또는 상기 반도체층 위에 형성된 전극을 포함한다. 상기 전극은, 상기 반도체 기판 또는 상기 반도체층에 접촉하여 형성되며 전도성을 가지는 접착층과, 상기 접착층 위에 형성되는 전극층을 포함한다. 상기 접착층의 열팽창 계수가 상기 반도체 기판의 열팽창 계수와 상기 전극층에서 상기 접착층과 인접한 부분의 열팽창 계수 사이의 값을 가진다. |
