| 发明名称 | 一种具有延伸电极的磁敏器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有延伸电极的磁敏器件，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN205248317U | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201521137548.7 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 江苏森尼克电子科技有限公司 | 发明人 | 马可军;俞振中;郑律 |
| 分类号 | H01L43/00(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 主权项 | 一种具有延伸电极的磁敏器件，它包括基底（1）、在所述基底（1）之上的形成所需芯片图案的InSb薄膜（2），其特征在于：所述的具有延伸电极的磁敏器件还包括至少两个电极（3），每个所述电极（3）的一部分位于所述InSb薄膜（2）上表面，另一部分延伸至所述基底（1）上表面。 | ||
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室 | ||