鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间具有第一倾斜角；在半导体衬底表面形成隔离层，高于隔离层的部分鳍部作为第一部分鳍部，被隔离层覆盖的部分鳍部作为第二部分鳍部；对第一部分鳍部的侧壁进行刻蚀，使第一部分鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间的具有第二倾斜角，第二倾斜角小于第一倾斜角；在第一部分鳍部侧壁表面形成含碳半导体层；在含碳半导体层表面形成石墨烯层；在隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一部分鳍部侧壁上的石墨烯层及部分鳍部顶部。所述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间具有第一倾斜角；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面并覆盖部分鳍部的侧壁表面，高于隔离层的部分鳍部作为第一部分鳍部，被隔离层覆盖的部分鳍部作为第二部分鳍部；对第一部分鳍部的侧壁进行刻蚀，使第一部分鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间具有第二倾斜角，所述第二倾斜角小于第一倾斜角；在所述第一部分鳍部侧壁表面形成含碳半导体层；在所述含碳半导体层表面形成石墨烯层；在所述隔离层表面形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一部分鳍部侧壁上的石墨烯层及部分第一部分鳍部顶部。