| 摘要 |
반도체 장치 (10) 는 반도체 기판 (11) 을 포함한다. 반도체 기판의 소자 영역 (12) 은 제 1 도전형의 제 1 보디 영역 (36a), 제 2 도전형의 제 1 드리프트 영역 (32a), 및 제 1 도전형을 각각 갖는 복수의 제 1 플로팅 영역들 (34) 을 포함한다. 종단 영역은 제 2 도전형의 제 2 드리프트 영역 (32b), 및 제 1 도전형을 각각 갖는 복수의 제 2 플로팅 영역들 (37) 을 포함한다. 상기 제 2 플로팅 영역들의 각각은 제 2 드리프트 영역에 의해 둘러싸인다. 제 1 드리프트 영역의 중앙의 깊이를 기준 깊이로 할 때, 제 2 플로팅 영역들의 적어도 하나는 제 1 플로팅 영역들의 각각보다 기준 깊이에 더 가깝게 배치된다. |
