| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有对第一波长光源感光的第一光刻胶层；步骤S2：在所述第一光刻胶层上形成对第二波长光源感光的第二光刻胶层，以覆盖所述第一光刻胶层；步骤S3：选用第一波长光源对所述第一光刻胶层曝光，接着选用所述第二波长光源对所述第二光刻胶层曝光；步骤S4：对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层显影，以在所述第一光刻胶层中形成第一图案，在所述第二光刻胶层中形成第二图案，其中所述第二图案的尺寸大于所述第一图案的尺寸；步骤S5：对所述第一图案和所述第二图案进行加热回流。本发明解决了光刻工艺中无法精确控制回流工艺所形成光刻胶形貌的难题。 | ||
| 申请公布号 | CN105584985A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410559253.2 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘尧;陈福成 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有对第一波长光源感光的第一光刻胶层；步骤S2：在所述第一光刻胶层上形成对第二波长光源感光的第二光刻胶层，以覆盖所述第一光刻胶层；步骤S3：选用所述第一波长光源对所述第一光刻胶层曝光，接着选用所述第二波长光源对所述第二光刻胶层曝光；步骤S4：对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层显影，以在所述第一光刻胶层中形成第一图案，在所述第二光刻胶层中形成第二图案，其中所述第二图案的尺寸大于所述第一图案的尺寸；步骤S5：对所述第一图案和所述第二图案进行加热回流，以得到圆弧形台阶图案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||