晶体管的制造方法

摘要

一种晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成保护层、刻蚀阻挡层、伪栅材料层；对伪栅材料层、刻蚀阻挡层和保护层进行第一刻蚀，形成伪栅以及位于伪栅下方的剩余刻蚀阻挡层和剩余保护层；在所述伪栅之间的半导体衬底上形成层间介质层；去除所述伪栅，形成露出剩余刻蚀阻挡层的凹槽；去除所述凹槽内的剩余刻蚀阻挡层和剩余保护层，露出所述衬底；向露出衬底的凹槽内填充栅介电层和金属材料，形成金属栅极。本发明通过在保护层上增加刻蚀阻挡层，使去除伪栅的刻蚀很好的停止在刻蚀阻挡层上，平衡了伪栅结构刻蚀与层间介质层损失对保护层厚度的要求，提高了所形成晶体管的性能，提高了形成晶体管的良品率。

主权项

一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成保护层、刻蚀阻挡层、伪栅材料层；对伪栅材料层、刻蚀阻挡层和保护层进行第一刻蚀，形成伪栅以及位于伪栅下方的剩余刻蚀阻挡层和剩余保护层；在所述伪栅之间的半导体衬底上形成层间介质层；去除所述伪栅，形成露出剩余刻蚀阻挡层的凹槽；去除所述凹槽内的剩余刻蚀阻挡层和剩余保护层，露出所述衬底；向露出衬底的凹槽内填充栅介电层和金属材料，形成金属栅极。