发明名称 |
存储器装置、半导体器件和电子装置 |
摘要 |
一个目的是提供一种存储器装置,该存储器装置不需要复杂制造过程,并且其功率消耗能够得到抑制,以及一种包括存储器装置的半导体器件。一种解决方案是提供保持数据的电容器以及控制存储器元件的电容器中存储和释放电荷的开关元件。在存储器元件中,诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件包括将输入信号的相位倒相并且输出信号。对于开关元件,使用在沟道形成区中包括氧化物半导体的晶体管。在停止向倒相元件施加电源电压的情况下,数据存储在电容器中,使得甚至当停止向倒相元件施加电源电压时,数据也保持在电容器中。 |
申请公布号 |
CN105590646A |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201610175017.X |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
小山润;山崎舜平 |
分类号 |
G11C11/412(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I;G11C27/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/412(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
叶晓勇;刘春元 |
主权项 |
一种存储器装置,包括:第一晶体管;以及包括多个存储器元件的存储器元件组,所述多个存储器元件的每个包括:第一逻辑元件,包括输入端子和输出端子;以及第二逻辑元件,包括输入端子和输出端子,其中所述第一逻辑元件的所述输入端子电连接到所述第二逻辑元件的所述输出端子,其中所述第二逻辑元件的所述输入端子电连接到所述第一逻辑元件的所述输出端子,其中所述多个存储器元件的每个配置成被提供有高电平电源电位和低电平电源电位,其中所述高电平电源电位和所述低电平电源电位中的一个通过所述第一晶体管的源极和所述第一晶体管的漏极被提供给所述多个存储器元件的每个,其中所述第一逻辑元件和所述第二逻辑元件的每个是倒相器或 拍频倒相器,以及其中所述第一晶体管包括沟道形成区,所述包括沟道形成区包括氧化物半导体。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |