| 发明名称 | 嵌入式锗硅PMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种嵌入式锗硅PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有栅极结构，该栅极结构周围包围有栅极侧壁；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，以形成凹槽；采用退火工艺对所述栅极侧壁进行热处理；对所述半导体衬底进行湿法清洗；在所述凹槽中沉积锗硅。本发明能够有效改善栅极侧壁膜质，使其更加致密，能够避免或者减轻湿法清洗对栅极侧壁造成的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105590864A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410654357.1 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 康俊龙;温振平;肖天金;谭俊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种嵌入式锗硅PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有栅极结构，该栅极结构周围包围有栅极侧壁；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，以形成凹槽；采用退火工艺对所述栅极侧壁进行热处理；对所述半导体衬底进行湿法清洗；在所述凹槽中沉积锗硅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||