用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法

摘要

描述了一种在衬底的不同区域上具有五个栅极堆叠件的半导体器件及其制造方法。该器件包括半导体衬底和用于隔离衬底上的不同区域的隔离部件。不同区域包括p型场效应晶体管(pFET)核心区、输入/输出pFET(pFET IO)区、n型场效应晶体管(nFET)核心区、输入/输出nFET(nFETIO)区和高电阻器区。本发明提供了用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离部件，用于隔离所述衬底上的不同区域；p型场效应晶体管(pFET)核心区，具有位于所述衬底上的第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的高k(HK)介电层和位于所述高k介电层上的第一材料保护层；p型场效应晶体管输入/输出(pFET IO)区，具有位于所述衬底上的第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件包括介电层、位于所述介电层上的界面层、位于所述界面层上的高k介电层和位于所述高k介电层上的第一材料保护层，其中，所述介电层和所述界面层直接接触；n型场效应晶体管(nFET)核心区，具有位于所述衬底上的第三栅极堆叠件，所述第三栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的高k介电层和位于所述高k介电层上的第二材料保护层；n型场效应晶体管输入/输出(nFET IO)区，具有位于所述衬底上的第四栅极堆叠件，所述第四栅极堆叠件包括介电层、位于所述介电层上的界面层、位于所述界面层上的高k介电层和位于所述高k介电层上的第二材料保护层，其中，所述介电层和所述界面层直接接触；以及高电阻器区，具有位于所述衬底上的第五栅极堆叠件，所述第五栅极堆叠件包括界面层、位于所述界面层上的高k介电层和位于所述高k介电层上的第二材料保护层；其中，所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件还包括位于所述第一材料保护层上方的所述第二材料保护层。