用以减少图像记忆效应的带负电荷层

摘要

本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。

主权项

一种图像传感器像素，其包括：光电二极管区，其具有第一极性掺杂类型，其安置于半导体层中；钉扎表面层，其具有第二极性掺杂类型，其安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方，其中所述第二极性与所述第一极性相反；第一极性电荷层，其安置于所述钉扎表面层上方；触点蚀刻停止层，其安置于所述第一极性电荷层上方，其中所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷；及钝化层，其安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。