发明名称 | 光感测电路、操作该电路的方法和包括该电路的设备 | ||
摘要 | 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管;以及切换晶体管,与光感测晶体管串联,并被配置为输出数据。在待命时间期间,低电压被施加到切换晶体管,并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管,当输出数据时,高电压施加到切换晶体管,并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。 | ||
申请公布号 | CN102253764B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
申请号 | CN201110033974.6 | 申请日期 | 2011.01.31 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安承彦;朴星昊;宋利宪;田尚勋 |
分类号 | G06F3/042(2006.01)I | 主分类号 | G06F3/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 一种光感测电路,包括:光感测晶体管,被配置为感测光;以及切换晶体管,串联连接到所述光感测晶体管而无需连接到串联连接的光感测晶体管和切换晶体管之间的节点的电容器,并且该切换晶体管被配置为输出数据,第一栅极线,连接到所述切换晶体管的栅极;数据线,连接到所述切换晶体管的源极;驱动电压线,连接到所述光感测晶体管的漏极;以及第二栅极线,连接到所述光感测晶体管的栅极,其中所述光感测晶体管是包括光敏氧化物半导体作为沟道层的光敏氧化物半导体晶体管,其中,在待命时间期间,低电压被施加到所述第一栅极线,并且所述切换晶体管处于截止OFF状态,并且高电压经由所述第二栅极线被施加到所述光感测晶体管;以及,当输出数据时,高电压经由所述第一栅极线被施加到所述切换晶体管,并且低电压经由所述第二栅极线被施加到所述光感测晶体管。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |