发明名称 陶瓷复合构件及其制造方法
摘要 本发明涉及陶瓷复合构件及其制造方法。具体而言,一种陶瓷复合构件(100,300,500,600)包括从上表面(112)延伸至下表面的本体,所述本体包括至少两个陶瓷复合层(CCL);第一CCL(110,202,302);第二CCL(120,204,304),其中第二CCL连结到第一CCL上;沿第一方向延伸跨过陶瓷复合构件的至少一部分的第一通路(610);垂直于第一通路延伸的第二通路(620),使得该第二通路不会延伸至所述本体的外缘(114)。
申请公布号 CN102248724B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201110104509.7 申请日期 2011.04.15
申请人 通用电气公司 发明人 H·C·罗伯茨;P·S·迪马斯乔
分类号 B32B18/00(2006.01)I;B32B3/20(2006.01)I;B32B37/06(2006.01)I 主分类号 B32B18/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱铁宏;谭祐祥
主权项 一种用于制造陶瓷复合构件的方法,所述方法包括:形成第一CCL;抵靠所述第一CCL定位第一模型;抵靠所述第一CCL定位第三模型;抵靠所述第一模型的第一侧定位第二CCL,使得所述第一模型至少部分地由所述第一CCL和第二CCL界定并且所述第三模型由所述第一CCL和第二CCL覆盖,其中所述第一CCL和第二CCL定位成使得所述第一CCL和第二CCL的第一侧形成的形状为补充所述第一模型和第二模型的形状,并使得所述第一CCL和第二CCL的第二相对侧界定所述构件的外部表面;抵靠所述第一模型定位第三CCL,以使所述第三CCL从所述第一模型的第一侧至所述第一模型的相对侧延伸跨过所述构件;将所述第一CCL联接到所述第二CCL上,使得沿第一方向延伸跨过所述构件的至少一部分的第一通路在由所述第一模型空出的位置处至少部分地由所述第一CCL和所述第二CCL限定,以及由所述第一CCL和第二CCL界定在由所述第三模型空出的位置处的第三通路以使得所述第三通路密封在所述构件中并且完全地界定在所述构件中。
地址 美国纽约州