发明名称 具有凹进区的近场换能器
摘要 具有凹进区的近场换能器位于或接近该装置的空气轴承表面,且配置为便于介质上的热辅助磁记录。该近场换能器包括放大区,该放大区包括等离子体材料且具有接近该空气轴承表面的第一端。该近场换能器还包括磁盘区,该磁盘区邻近该放大区且具有邻近该空气轴承表面的第一端。该磁盘区包括等离子体材料。栓柱区从该磁盘区的第一端延伸且终止于或邻近该空气轴承表面。该近场换能器还包括相对于该栓柱区凹进的区域。该凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。
申请公布号 CN105590634A 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201510939861.0 申请日期 2015.11.10
申请人 希捷科技有限公司 发明人 陈卫斌;W·舒勒茨
分类号 G11B5/31(2006.01)I;G11B5/60(2006.01)I 主分类号 G11B5/31(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种装置,包括:近场换能器,位于或接近该装置的空气轴承表面且配置为便于介质上的热辅助磁记录,包括:放大区,包括等离子体材料且具有接近该空气轴承表面的第一端和与第一端相反的第二端;磁盘区,邻近该放大区且具有邻近该空气轴承表面的第一端和与第一端相反的第二端,该磁盘区的第一端包括终止于或邻近该空气轴承表面的突出部,该磁盘区包括等离子体材料;栓柱区,从该磁盘区的第一端的突出部延伸且终止于或邻近该空气轴承表面;以及相对于该栓柱区凹进的区域,凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。
地址 美国加利福尼亚州