| 发明名称 | 高压MOS轻掺杂扩展区的制备工艺 | ||
| 摘要 | 一种高压MOS中轻掺杂扩展区的制备工艺，包括：先在硅衬底上形成有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区和隔离区；于前述有源区上形成光刻，刻蚀后注入掺杂剂形成低压MOS的掺杂阱于其中；于前述有源区上生长栅氧后进行多晶硅光刻，形成多晶硅栅极；于前述有源区上淀积氧化硅后，形成多晶硅侧墙；于前述有源区上进行轻掺杂漏极扩展区光刻，掺杂剂注入；以及进行热过程以同时进行多晶硅热退火和前述轻掺杂扩展区的热推进形成轻掺杂漏极扩展区。 | ||
| 申请公布号 | CN105590863A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410654299.2 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 帝奥微电子有限公司 | 发明人 | 吕宇强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人 | 袁辉 |
| 主权项 | 一种高压MOS中轻掺杂扩展区的制备工艺，其特征在于：包括：先在硅衬底上形成有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区和隔离区；于前述有源区上形成光刻，刻蚀后掺杂剂注入以形成低压MOS的掺杂阱于其中；于前述有源区上生长栅氧后进行多晶硅光刻，形成多晶硅栅极；于前述有源区上淀积氧化硅后，以刻蚀形成多晶硅侧墙；于前述有源区上进行轻掺杂漏极扩展区光刻，掺杂剂注入；以及进行热过程以同时进行多晶硅热退火和前述轻掺杂扩展区的热推进形成轻掺杂漏极扩展区。 | ||
| 地址 | 201103 上海市闵行区合川路2679号虹桥国际商务广场3号楼603 | ||