半导体装置及其制造方法

摘要

本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供一种用于使一基材与另一基材接合的凸块结构。一导电柱体形成于第一基材上，以使此导电柱体具有与一第二基材的接触表面不同的宽度。在一实施例中，第一基材的导电柱体为梯形或具有锥形侧壁，因而提供底部部分较顶部部分宽的导电柱体。所述基材均可为集成电路芯片、转接板、印刷电路板、高密度内连线或其类似物。本发明可减低关于交界处应力所产生的脱层问题。

主权项

一种半导体装置，包括：一第一基材，具有从该第一基材的一第一表面延伸的一第一内连线结构，该第一内连线结构包括一第一导电柱体及一第一导电盖层，该第一导电柱体具有随着从该第一基材的第一表面延伸而逐渐变窄的一第一侧壁，该第一导电柱体具有远离该第一基材并与该第一侧壁连接的一第一远端柱体表面，该第一导电盖层仅位于该第一导电柱体的第一远端柱体表面上，该第一导电盖层具有随着从该第一导电柱体延伸而逐渐变窄的一第二侧壁；一第二基材，具有从该第二基材的一第二表面延伸的一第二内连线结构；以及一焊料，将该第一内连线结构附着到该第二内连线结构，其中该焊料不延伸到该第一侧壁上。