发明名称 一种用氢(H<sub>2</sub>)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法
摘要 本发明涉及一种用氢(H<sub>2</sub>)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法,将GO旋涂在ITO导电玻璃上,烘干后置于等离子放电室中,放电室内接有石墨电极,电极连接一个射频交流电源,该电源能够产生电感耦合等离子体源,放电前先通入氩气,赶走空气,然后打开真空泵抽真空至2 Pa左右,通入H<sub>2</sub>和Ar混合气体。H<sub>2</sub>和Ar总气体流量为3 sccm,H<sub>2</sub>和Ar的流量比为2/1,此时打开交流电源产生氢和氩混合等离子体,交流电功率为70 w,将该等离子体流直接作用在GO薄膜上,放电5 min后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜。该方法不仅能有效还原GO,而且快速、高效、绿色同时不引入杂质。将制得的rGO薄膜用作电极材料,rGO薄膜的比容量为211.8 F/g,高于其他还原方法得到的还原石墨烯的比容量。
申请公布号 CN104085884B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201410331508.X 申请日期 2014.07.11
申请人 中国科学院等离子体物理研究所 发明人 李洁;王奇;韦娟;陈长伦;王祥科
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 一种用氢和氩混合等离子体还原氧化石墨烯提高电化学性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:A、将一定量的氧化石墨烯GO溶液超声均匀分散,然后用旋涂仪将石墨烯GO旋涂在氧化铟锡ITO导电玻璃基底上,旋涂仪速度为2950‑3050 rpm,旋涂时间为88‑92 s,然后置于58‑62 °C的加热台上干燥4‑6 min,得烘干的氧化石墨烯GO薄膜;B、将载有氧化石墨烯GO薄膜的ITO导电玻璃置于等离子体放电室中,通过调节参数,在放电室内产生H<sub>2</sub>和Ar混合等离子体流,将该混合等离子体流直接作用在GO薄膜的表面,放电一定时间后制得还原石墨烯薄膜;步骤B所述的等离子体放电室中接由石墨电极,电极连接一个能够产生电感耦合等离子体源的交流电源,放电前先通入Ar,以排除空气,然后抽真空至2 Pa左右,打开H<sub>2</sub>和Ar阀,调节流量计中H<sub>2</sub>和Ar的流量,然后调节等离子体放电室内的压强,最后调节交流电源功率,产生的混合等离子体流直接作用在GO薄膜的表面,等离子体放电室内的压强为4.7 Pa,总气体流量为3 sccm,H<sub>2</sub>和Ar流量比为 2:1,作用时间为5min,交流电功率为70 w。
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