磁敏线、磁阻抗元件及磁阻抗传感器

摘要

本发明提供一种磁敏线、磁阻抗元件及磁阻抗传感器，该磁敏线具有涡流自旋结构，因此在其内部不存在磁畴壁，具有磁滞大致为零的优良的磁滞特性。因此，与使用了现有的磁敏线的MI传感器相比，大幅度地提高了在MI传感器的测量范围内的相对于外加磁场的输出电压特性的直线性。采用该磁敏线，能够提供一种与现有的相比更高精度的磁阻抗（MI）元件以及使用了该MI元件的传感器。

主权项

一种磁敏线，由零磁致伸缩的Co‑Fe‑Si‑B类软磁性合金的非晶丝构成，其特征在于，通过在对所述非晶丝施加30～2000MPa的张力的同时实施在未完全结晶化的温度内对所述非晶丝进行加热的热处理而得到，所述热处理的温度为500～650℃，加热时间为4～10秒，所述磁敏线的直径为0.5～15μm。