离子植入机中的碳化硅镀膜

摘要

本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。

主权项

一种离子植入机，包括：离子源，包括离子源室，所述离子源室具有第一壁、相对的导电的第二壁以及多个导电的侧壁，其中提取孔口安置在所述第二壁中；以及提取电极组件，经安置而接近所述提取孔口并且在所述离子源室外，所述提取电极组件包括一或多个导电电极；其中至少一个导电组件镀有低电阻率的碳化硅。