氮化物底层、发光二极管及底层制备方法

摘要

本发明提供了一种氮化物底层、发光二极管及底层制备方法，采用物理气相法沉积氮化铝层：在沉积过程中于反应腔室中通入氧元素，以形成含有氧元素的氮化铝层；再利用物理性质的电浆对所述氮化铝层表面进行处理，降低氮化铝层表面氧元素含量，形成氮化铝改质层；其中，所述改质层表面形貌与前述步骤中氮化铝层表面形貌一致，通过降低改质层表面氧元素含量，减小其表面能态，增加与缓冲层之间的成键几率，同时减小与缓冲层之间的晶格差异，降低发光二极管的底层应力。

主权项

氮化物底层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；2）在所述衬底的表面利用物理气相法沉积氮化铝层：在沉积过程中于反应腔室中通入氧元素，消除氮化铝层表面极性；3）利用电浆对所述氮化铝层表面进行轰击处理，降低氮化铝层表面氧元素含量，形成改质层，减小与后续沉积层之间的晶格差异；4）利用MOCVD 法于所述改质层表面沉积Al_xGa_1‑xN缓冲层（0 ≤x≤1）。