| 发明名称 | 掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性的调控方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性的调控方法，所述半导体薄膜为单相体心正交结构，由掺杂有钴的铅钯氧纳米颗粒组成；该半导体薄膜的厚度在320nm以下，且在300K及以下温度时，具有与自旋零禁带能带结构相关的铁磁性和/或常规的铁磁性。所述调控方法是通过调节薄膜厚度的方式，使得掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜具有与自旋零禁带能带结构相关的室温铁磁性或/和常规的室温铁磁性。有益的技术效果：本发明首次提出用控制薄膜厚度的方式，用同一配方工艺在掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜中获得具有与自旋零禁带能带结构相关的室温铁磁性或/和常规的室温铁磁性。 | ||
| 申请公布号 | CN105591024A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201510982925.5 | 申请日期 | 2015.12.24 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 苏海林;宋婷婷;刘俊;梅超;吴玉程;黄荣俊 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人 | 胡治中 |
| 主权项 | 一种掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜，其特征在于：半导体薄膜为单相体心正交结构，由掺杂有钴的铅钯氧纳米颗粒组成；该半导体薄膜的厚度在320nm以下，且在300K及以下温度时，具有与自旋零禁带能带结构相关的铁磁性和/或常规的铁磁性。 | ||
| 地址 | 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 | ||