| 发明名称 | 电阻式非易失性存储器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电阻式非易失性存储器装置及其制造方法。其中，上述电阻式非易失性存储器装置包括一第一电极，其中上述第一电极中具有一第一掺质；一第二电极，设置于上述第一电极上；一电阻转态层，设置于上述第一电极和上述第二电极之间。本发明提供的电阻式非易失性存储器装置及其制造方法通过于底电极中掺入掺质或降低底电极厚度等方式，控制底电极的结晶晶粒尺寸，以提升最终电阻式非易失性存储器装置结构中的底电极与电阻转态层之间的界面的平坦度。因而可以提升电阻式非易失性存储器装置的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN105591027A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410570451.9 | 申请日期 | 2014.10.23 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 张文岳;何家骅 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 郭晓宇 |
| 主权项 | 一种电阻式非易失性存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极，其中所述第一电极中具有一掺质；一第二电极，设置于所述第一电极上；以及一电阻转态层，设置于所述第一电极和所述第二电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||