发明名称 |
提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置 |
摘要 |
本发明属于电源技术领域,具体涉及一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置,目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等问题造成的电流过大而烧坏器件的问题。该方法包括计算需并联的串联电路的路数、各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系和使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET三个步骤。该方法能够在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该方法原理简单,操作方便,工艺稳定,重现性好。具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色,且适应于工业化规模生产。 |
申请公布号 |
CN105591527A |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201410571606.0 |
申请日期 |
2014.10.23 |
申请人 |
北京航天计量测试技术研究所;中国运载火箭技术研究院 |
发明人 |
徐超;吴永红;姜祝;武东健;赵一阳 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
核工业专利中心 11007 |
代理人 |
王朋 |
主权项 |
一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法,包括如下步骤:第一步:计算需并联的串联电路的路数;第二步:各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系;第三步:使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET。 |
地址 |
100076 北京市丰台区南大红门路1号 |