一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板偏心自转方法

摘要

本发明公开了一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板偏心自转方法,在矩形平面磁控溅射靶固定在真空室中，圆形基板面对矩形靶放置并绕其自身的中心轴自转，其特征在于，包括如下内容：调节圆形基板中心沿矩形靶的短边方向的偏心距D满足如下条件：D=(0.92~1.08）×(0.5 H -0.067 L +23.1)，其中，H为矩形靶距离圆形基板的距离长度，L为矩形靶的长边长度，进而实现了能够提高薄膜厚度的均匀性的技术效果。

主权项

一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板偏心自转方法, 矩形平面磁控溅射靶固定在真空室中，在矩形靶上有条形环状的刻蚀环，刻蚀环的直边长度为L，刻蚀环的两端为两个半圆，半圆的内外径分别为r₁和r₂，圆形基板面对矩形靶放置，面间距为H，圆形基板绕其自身的中心轴自转，其特征在于，通过调节圆形基板中心沿矩形靶短边方向的偏心距D来调节圆形基板上所沉积薄膜的均匀性, 当(L+2r₂): 2r₂的比值在3~8，r₁: r₂的比值在0.3~0.7范围内时，D满足如下条件时基板上的膜厚非均匀性在5%以内：D = (0.92~1.08）× (0.5 H ‑0.067 L +23.1)。