| 发明名称 | 用于半导体应用的具有内建光学邻近校正的虚填充形状的近邻修整 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于半导体应用的具有内建光学邻近校正（OPC）的虚填充形状的近邻修整。提供了用于半导体应用的具有内建光学邻近校正的虚填充形状的近邻修整。用于近邻修整的方法包括将一个或多个孔形状添加到包括多个设计形状的半导体设计布局上。所述方法还包括修整由所述一个或多个孔形状覆盖的所述多个设计形状的邻近设计形状。 | ||
| 申请公布号 | CN103218470B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201310017757.7 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | H·S·兰迪斯 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种用于修整设计形状的方法，包括：将一个或多个孔形状添加到包括多个设计形状的半导体设计布局上；以及修整由所述一个或多个孔形状覆盖的所述多个设计形状的邻近设计形状。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||