发明名称 |
一种用于MOCVD反应器的晶片载盘及MOCVD反应器 |
摘要 |
本发明公开了一种用于MOCVD反应器的晶片载盘及MOCVD反应器。为了最大限度的扩大晶片载盘表面均匀温度场的范围,所述用于MOCVD反应器的晶片载盘包括晶片载盘本体,所述晶片载盘本体的上表面开有用于放置晶片的凹槽,该晶片载盘本体的下表面周缘向下延伸形成环形凸起,使整个晶片载盘呈倒桶状。所述MOCVD反应器具有上述带环形凸起的晶片载盘及相配套的加热器,所述加热器分为内、中、外三部分,并且加热器内圈、外圈呈筒状竖向布置,中圈呈Ω形水平布置。本发明提高了热能量利用效率,并且使加热装置与反应物分开,从而能够更好的保护加热装置,同时,晶片载盘表面温度一致性的区域扩大,从而提高了单批次产量。 |
申请公布号 |
CN103526186B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201310327232.3 |
申请日期 |
2013.07.31 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
发明人 |
魏唯;罗才旺;陈特超 |
分类号 |
C23C16/458(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/458(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
马强;李发军 |
主权项 |
一种MOCVD反应器,包括装在旋转轴(110)上的晶片载盘(113),位于晶片载盘(113)上方的气体分布装置(102),位于晶片载盘(113)下方的加热装置;其特征在于,所述晶片载盘(113)包括晶片载盘本体,所述晶片载盘本体的上表面开有用于放置晶片(105)的凹槽,该晶片载盘本体的下表面周缘向下延伸形成环形凸起(116),使整个晶片载盘(113)呈倒桶状;所述晶片载盘(113)由石墨压制烧结而成;所述加热装置为设置在旋转轴(110)与晶片载盘(113)的环形凸起(116)之间的呈筒状竖向布置的内圈加热体(103)、呈Ω形水平布置的中圈加热体(104)和呈筒状竖向布置的外圈加热体(107)。 |
地址 |
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 |